摘要:纯水在电子工业主要是电子元器件生产中的重要作用日益突出,纯水水质已成为影响电子元器件产品质量、生产成品率及生产成本的重要因素之一,水质要求也越来越高。在电子元器件生产中,高纯水主要用作清洗用水及用来配制各种溶液、浆料,不同的电子元器件生产中纯水的用途及对水质的要求也不同。
关键字:膜技术 纯水
一、纯水在电子元器件生产中的作用
纯水在电子工业主要是电子元器件生产中的重要作用日益突出,纯水水质已成为影响电子元器件产品质量、生产成品率及生产成本的重要因素之一,水质要求也越来越高。在电子元器件生产中,高纯水主要用作清洗用水及用来配制各种溶液、浆料,不同的电子元器件生产中纯水的用途及对水质的要求也不同。
在电解电容器生产中,铝箔及工作件的清洗需用纯水,如水中含有氯离子,电容器就会漏电。在电子管生产中,电子管阴极涂敷碳酸盐,如其中混入杂质,就会影响电子的发射,进而影响电子管的放大性能及寿命,因此其配液要使用纯水。在显像管和阴极射线管生产中,其荧光屏内壁用喷涂法或沉淀法附着一层荧光物质,是锌或其他金属的硫化物组成的荧光粉颗粒并用硅酸钾粘合而成,其配制需用纯水,如纯水中含铜在8ppb以上,就会引起发光变色;含铁在50ppb以上就会使发光变色、变暗、闪光跳跃;含有机物胶体、微粒、细菌等,就会降低荧光层强度及其与玻壳的粘附力,并会造成气泡、条迹、漏光点等废次品。在黑白显像管荧光屏生产的12个工序中,玻壳清洗、沉淀、湿润、洗膜、管颈清洗等5个工序需使用纯水,每生产一个显像管需用纯水80kg[1]。液晶显示器的屏面需用纯水清洗和用纯水配液,如纯水中存在着金属离子、微生物、微粒等杂质,就会使液晶显示电路发生故障,影响液晶屏质量,导致废、次品。显像管、液晶显示器生产对纯水水质的要求见表1。
表1 显像管、液晶显示器用纯水水质
项目单位 |
电阻率
MΩ·cm
(25t) |
细菌
个/ml |
微粒
个/ml |
TOC
mg/L |
Na+
μg/L |
K+
μg/L |
Cu
μg/L |
Fe
μg/L |
Zn
μg/L |
黑白显像管
彩色显像管
液晶显示器 |
≥5
≥5
≥5 |
≤5
≤1
≤1 |
≤10(Φ>0.5μ)
≤10(Φ>1μ)
≤10(Φ>1μ) |
≤0.5
≤0.5
≤1 |
≤10
≤10
≤10 |
≤10
≤10
≤10 |
≤8
≤10
≤10 |
≤10
≤10
≤10 |
≤10
≤10
≤10 |
在晶体管、集成电路生产中,纯水主要用于清洗硅片,另有少量用于药液配制,硅片氧化的水汽源,部分设备的冷却水,配制电镀液等。集成电路生产过程中的80%的工序需要使用高纯水清洗硅片,水质的好坏与集成电路的产品质量及生产成品率关系很大。水中的碱金属(K、Na等)会使绝缘膜耐压不良,重金属(Au、Ag、Cu等)会使PN结耐压降低,Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)会使N型半导体特性恶化,Ⅴ族元素(P、As、Sb等)会使P型半导体特性恶化[2],水中细菌高温碳化后的磷(约占灰分的20-50%)会使P型硅片上的局部区域变为N型硅而导致器件性能变坏[3],水中的颗粒(包括细菌)如吸附在硅片表面,就会引起电路短路或特性变差。集成电路生产对纯水水质的要求见表2。
表2 集成电路(DRAM)对纯水水质的要求[4][5][6]
集成电路(DRAM)集成度 |
16K |
64K |
256K |
1M |
4M |
16M | |
相邻线距(μm) |
4 |
2.2 |
1.8 |
1.2 |
0.8 |
0.5 | |
微粒 |
直径(μm) |
0.4 |
0.2 |
0.2 |
0.1 |
0.08 |
0.05 |
个数(PCS/ml) |
<100 |
<100 |
<20 |
<20 |
<10 |
<10 | |
细菌(CFU/100ML) |
<100 |
<50 |
<10 |
<5 |
<1 |
<0.5 | |
电阻率(μs/cm,25℃) |
>16 |
>17 |
>17.5 |
>18 |
>18 |
>18.2 | |
TOC(ppb) |
<1000 |
<500 |
<100 |
<50 |
<30 |
<10 | |
DO(ppb) |
<500 |
<200 |
<100 |
<80 |
<50 |
<10 | |
Na+(ppb) |
<1 |
<1 |
<0.8 |
<0.5 |
<0.1 |
<0.1 |
二、膜技术在纯水制造中的应用
纯水制造中应用的膜技术主要有电渗析(ED)、反渗透(RO)、纳滤(NF)、超滤(UF)、微滤(MF),其工作原理、作用等见表3。
表3 纯水制造中常用的膜技术
膜组件名称 |
ED |
RO |
NF |
UF |
MF |
微孔孔径 |
5-50埃 |
15-85埃 |
50-1000埃(1μm) |
0.03-100μm | |
工作原理 |
离子选择透过性 |
1.优先吸附-毛细管理论
2.氢链理论
3.扩散理论 |
同左 |
滤膜筛滤作用 |
同左 |
作用 |
去除无机盐离子 |
去除无机盐离子,以及有机物、微生物、胶体、热源、病毒等 |
去除二价、三价离子,M>100的有机物,以及微生物、胶体、热源、病毒等 |
去除悬浊物、胶体以及M>6000的有机物 |
去除悬浊物 |
组件形式 |
膜堆式 |
大多为卷式,少量为中空纤维 |
同左 |
大多为中空纤维,少量为卷式 |
摺迭滤筒式 |
工作压力(Mpa) |
0.03-0.3 |
1-4 |
0.5-1.5 |
0.1-0.5 |
0.05-0.5 |
水回收率(%) |
50-80 |
50-75 |
50-85 |
90-95 |
100 |
使用寿命(年) |
3-8 |
3-5 |
3-5 |
3-5 |
3-6个月 |
水站位置 |
除盐工序 |
除盐工序 |
1.除盐工序
2.RO前的软化 |
大多为纯水站终端精处理,少数为RO前的预处理 |
1.RO、NF、UF前的保安过滤(3-10μm)
2.离子交换后滤除树脂碎片(1μm)
3.UV后滤除细菌死体(0.2或 0.45μm)
4.纯水站终端过滤(0.03-0.45μm) |
与传统的水处理技术相比,膜技术具有工艺简单、操作方便、易于自动控制、能耗小、无污染、去除杂质效率高、运行成本低等优点,特别是几种膜技术的配合使用,再辅之以其他水处理工艺,如石英砂过滤、活性炭吸附、脱气、离子交换、UV杀菌等,为去除水中的各种杂质,满足日益发展的电子工业对高纯水的需要,提供了有效而可靠的手段,而且也只有应用了多种膜技术,才能生产出合格、稳定的高纯水,才能生产出大规模、超大规模、甚大规模集成电路(LSI、VLSI、ULSI),从而使计算机、雷达、通讯、自动控制等现代电子工业的发展和应用得以实现。值得一提的是:当原水的含盐量大于400mg/L时,纯水制造的除盐工序采用RO-离子交换工艺后,比早先单用离子交换可节约酸、碱90%左右,使离子交换柱的周期产水量提高10倍左右[7],事实证明,可以降低纯水制造的运行费用和制水成本,可以减少工人的劳动强度,可以减少对环境的污染,并可使纯水水质得到提高并长期稳定。据统计,在我国电子工业引进的纯水制造系统中,有RO的约占系统总数的90%,有UF的约占20%,有MF的几乎为100%[8],而ED在我国国产的纯水系统特别是早期投产的纯水系统,以及为数众多的对纯水水质要求不高的一般电子元器件(如电阻、电容、黑白显像管、电子管等)制造厂的纯水系统中占有相当的比例。
三、微电子工厂纯水站使用膜技术实况
现以某微电子工厂中的某一纯水站使用膜技术的实况,说明膜技术在电子工业纯水制造中的应用。其纯水制造系统工艺流程见图1。
1.前级UF
前级UF是用于去除水中的悬浊物、胶体及有机物,降低水的SDI值,确保RO的安全运行。前级UF有5组,每组45根组件,共225根组件,进水280m3/h,透过水250 m3/h,浓缩水排放,回收率约90%。UF组件为美国Romicon公司生产,型号HF-BZ-20-PM80,组件直径5in,长43in,内压式中空纤维膜,纤维直径20mil(0.51mm),共有2940根纤维,膜面积132ft2,膜材料为PS(聚砜),截留分子量8万。UF前采用5μm保安过滤器。
2.一级RO
水中加入还原剂Na2SO3(加药量为水中余氯值的1.8倍)以防止余氯氧化腐蚀RO膜,加入防垢剂(NaPO3)6(加药量为5ppm)以防止CaCO3、CaSO4等在RO膜上结垢,再经5μm 保安过滤器后由高压泵打进一级RO。一级RO有4组,均为二段。其中三组为每组8根膜容器,呈(5+3)排列,第4组为11根膜容器,呈(8+3)排列,膜容器由FRP(玻璃钢)制成,每根内装6个RO元件,总共为210个RO元件,进水250m3/h,透过水188m3/h,浓缩水排放,回收率为75%,脱盐率>90%(初始脱盐率>99%),操作压力1.55Mpa。RO元件为美国HYDRANAUTICS(海德能)公司生产,型号CPA3。元件直径8in,长40in,卷式膜,膜面积400ft2,膜材料为芳香聚酰胺复合膜,元件脱盐率≥99.5%。
3.二级RO
一级RO水箱出水中一部分进入A系统,先加NaOH(CP级)调节pH为8.2-8.6,使水中CO2生成HCO3-,被二级RO除去,以减轻混床离子交换的负担,采用二级RO可以使混床再生周期延长一倍,减少再生酸碱耗量,并可进一步去除TOC和胶体物质。二级RO前采用3μm保安过滤器,二级RO为一组三段,共10根膜容器,按(6+3+1)排列,每根容器内装6只RO元件,共60只RO元件,进水70m3/h,出水62m3/h,浓水排至超滤水箱,回收率为90%,脱盐率>70%(初始脱盐率>80%),RO元件的生产厂、型号与一级RO相同。
4.后级UF
后级UF是用于去除水中的微粒、微生物、胶体、有机物等的终端过滤设备。
A系统后级UF为3组,每组18支,共54支组件,进水92 m3/h,出水90 m3/h,浓水排至一级RO水箱,回收率约98%。UF组件为美国Romicon公司生产,型号HF-132-20-PM10,组件直径5in,长43in,内压式中空纤维膜,纤维直径20mil(0.51mm),共有2940根纤维,膜面积132ft2,膜材料为PS(聚砜),截留分子量1万。
B系统后级UF为8组,每组9支,共72支组件,进水168 m3/h,出水164 m3/h,回收率约98%,UF组件制造厂及型号与A系统后级UF相同。
C系统后级UF有3支组件,进水4 m3/h,出水3.9 m3/h,回收率约98%,UF元件为美国HYDRANAUTICS公司生产,型号4040-FTV-2120,组件直径3.94in,长40in,卷式膜,膜面积55ft2,膜材料为聚烯烃,截留分子量5万。
5.微滤
本系统的微滤可分为三类,第一类为前级UF、RO前的保安过滤器,用于去除水中的悬浊物微粒,降低水的SDI值,滤芯为PP(聚丙烯)膜摺迭式滤芯,孔径为5μm或3μm。第二类在离子交换后,用于滤除离子交换树脂碎片,滤芯为PP膜摺迭式滤芯,孔径为1μm。第三类在UV杀菌器后,用于滤除微生物尸体,滤芯为N-6(尼龙6)膜摺迭式滤芯,孔径为0.45μm或0.2μm。以上滤芯均为核工业部第八研究所生产。
除上述水站外,该厂还有另几套高纯水制造系统,RO除使用复合膜元件外,还有使用CA醋酸纤维素膜元件。
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